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<正> 一、概况国外厚膜集成电路是从1964年后才迅速发展起来的。近几年来,厚膜技术有了很大的发展。因厚膜电阻研制较早较为成熟,国外在这方面报导较多。在厚膜电容、电感和晶体管等方面的新材料和新工艺方面,也进行了大量研制工作,有些已获得应用,在促进电路全膜化
1971年01期 1-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 630K] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 一、概况国外厚膜集成电路是从1964年后才迅速发展起来的。近几年来,厚膜技术有了很大的发展。因厚膜电阻研制较早较为成熟,国外在这方面报导较多。在厚膜电容、电感和晶体管等方面的新材料和新工艺方面,也进行了大量研制工作,有些已获得应用,在促进电路全膜化
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<正> 最近用微波集成电路构成一定数目的电子微型组件,包括参量放大器、接收机、相控阵雷达等,由于消除了包装所引起的寄生量,所以微波集成电路比常用的同轴或者波导技术具有更宽的带宽。微波集成电路技术改进了固态源的重复性,并能更好地控制电路的细调。
1971年01期 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 629K] [下载次数：49 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 最近用微波集成电路构成一定数目的电子微型组件,包括参量放大器、接收机、相控阵雷达等,由于消除了包装所引起的寄生量,所以微波集成电路比常用的同轴或者波导技术具有更宽的带宽。微波集成电路技术改进了固态源的重复性,并能更好地控制电路的细调。
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<正> 很多微波半导体器件主要取决于pn结的性质,然而最近出现新的体效应有源器件。为了满足微波频率的要求,所有类型的有源半导体器件必须具有非常小的结,典型的有源面积为10—100微米~2数量级,采用化学腐蚀或触须接触技术可以获得这么小的面积。最近应用平面技术完全可以获得足够小的有源面积,对
1971年01期 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 209K] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 很多微波半导体器件主要取决于pn结的性质,然而最近出现新的体效应有源器件。为了满足微波频率的要求,所有类型的有源半导体器件必须具有非常小的结,典型的有源面积为10—100微米~2数量级,采用化学腐蚀或触须接触技术可以获得这么小的面积。最近应用平面技术完全可以获得足够小的有源面积,对
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数兆赫以上高频使用的陶瓷滤波器,比原有的滤波器,无论在结构和特性方面,都有显著的不同,它有助于调频收讯机的成本降低和提高可靠性。
1971年01期 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 215K] [下载次数：45 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 数兆赫以上高频使用的陶瓷滤波器,比原有的滤波器,无论在结构和特性方面,都有显著的不同,它有助于调频收讯机的成本降低和提高可靠性。
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在PbIn_(1/2)Nb_(1/2)O_3-PbTiO_3系的固溶体中存在四方晶一假立方晶相界,在37和33克分子%PbTiO_3时分别有峰值介电常数(2000)和电机耦合系数(0.4)。其特性和其它在铁电相之间存在一变晶相界的系统的特性相似。
1971年01期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 104K] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 在PbIn_(1/2)Nb_(1/2)O_3-PbTiO_3系的固溶体中存在四方晶一假立方晶相界,在37和33克分子%PbTiO_3时分别有峰值介电常数(2000)和电机耦合系数(0.4)。其特性和其它在铁电相之间存在一变晶相界的系统的特性相似。
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<正> 本文研究了单晶钛酸钡、钛酸锶和多晶试样BaTiO_3,SrTiO_3,(Ba,Sr)TiO_3,PbTiO_3,CaTiO_3和TiO_2。测量是在超高频的厘米波段进行的,温度为一196～1000℃。测量的频率范围与较早期的研究增大了,钛酸钡就有可能在顺电相中开始介质色散,在50～60千兆赫时,介电常数ε随频率下降,而损耗tgδ随频率增大。相反,钛酸钡在铁电相中,在向毫米波段过渡时,所熟知的多晶试样的超高频色散实际
1971年01期 31-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 102K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 本文研究了单晶钛酸钡、钛酸锶和多晶试样BaTiO_3,SrTiO_3,(Ba,Sr)TiO_3,PbTiO_3,CaTiO_3和TiO_2。测量是在超高频的厘米波段进行的,温度为一196～1000℃。测量的频率范围与较早期的研究增大了,钛酸钡就有可能在顺电相中开始介质色散,在50～60千兆赫时,介电常数ε随频率下降,而损耗tgδ随频率增大。相反,钛酸钡在铁电相中,在向毫米波段过渡时,所熟知的多晶试样的超高频色散实际
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<正> 利用Ag、Cu和Ni扩散入CdS,并在空气中退火的方法,制成了频率为10～300兆赫的纵波和横波超声换能器,并研究了其频率特性和动态范围。在相对通带为70～170%时,获得了换能损耗为15～25分贝。高阻扩散层压电半导体换能器是宽频带的,在几兆赫到几百兆赫的频率范围内,可以有效地应用。这类换能器简单,且制造方便,
1971年01期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 234K] [下载次数：10 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 利用Ag、Cu和Ni扩散入CdS,并在空气中退火的方法,制成了频率为10～300兆赫的纵波和横波超声换能器,并研究了其频率特性和动态范围。在相对通带为70～170%时,获得了换能损耗为15～25分贝。高阻扩散层压电半导体换能器是宽频带的,在几兆赫到几百兆赫的频率范围内,可以有效地应用。这类换能器简单,且制造方便,
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研究了对位黄碲矿(TeO_2)单晶的弹性和压电性。在(110)方向上,剪切波以极慢的相速0.6×10~9米/秒传播。(001)方向上剪切波的耦合系数为10%。用非常简单的电极结构,可以直接激发扭转振动。在某些方向上,剪切波相速与温度无关。
1971年01期 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 221K] [下载次数：28 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 研究了对位黄碲矿(TeO_2)单晶的弹性和压电性。在(110)方向上,剪切波以极慢的相速0.6×10~9米/秒传播。(001)方向上剪切波的耦合系数为10%。用非常简单的电极结构,可以直接激发扭转振动。在某些方向上,剪切波相速与温度无关。
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<正> 一引言曾报导过三种TeO_2形状:金红石结构的四方晶体;板钛矿结构的斜方晶体;变形金红石结构(对位黄碲矿)的亚四方晶体。后者是迄今唯一人工生长晶体,这种晶体属于结晶点群D_4-422,因此具有压电性和旋光性。晶体结构已由参考资料[2]在1961年确定。最近,参考资料[3]作者报告了对位黄碲矿单晶的弹性和压电性,发现了许多重要的有
1971年01期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 1001K] [下载次数：38 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] <正> 一引言曾报导过三种TeO_2形状:金红石结构的四方晶体;板钛矿结构的斜方晶体;变形金红石结构(对位黄碲矿)的亚四方晶体。后者是迄今唯一人工生长晶体,这种晶体属于结晶点群D_4-422,因此具有压电性和旋光性。晶体结构已由参考资料[2]在1961年确定。最近,参考资料[3]作者报告了对位黄碲矿单晶的弹性和压电性,发现了许多重要的有
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本文研究了由熔融物拉制铁电LiNbO_3的生长,晶体沿各种拉制轴如[001]、[120]和[100]生长,并得出了能拉制大的和完整晶体的必要条件。用Li NbO_3陶瓷作电极极化使之转变成单畴晶体,而不会引起任何大的应变。对特征生长脊作了详细的观察,并用间歇形[102]来解释脊的形成。考虑了生长脊和腐蚀图的对称因素,从而决定了高温相的点群为D_(3d)。根据晶体结构讨论了晶体生长和极化转向机理。
1971年01期 45-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1269K] [下载次数：142 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] 本文研究了由熔融物拉制铁电LiNbO_3的生长,晶体沿各种拉制轴如[001]、[120]和[100]生长,并得出了能拉制大的和完整晶体的必要条件。用Li NbO_3陶瓷作电极极化使之转变成单畴晶体,而不会引起任何大的应变。对特征生长脊作了详细的观察,并用间歇形[102]来解释脊的形成。考虑了生长脊和腐蚀图的对称因素,从而决定了高温相的点群为D_(3d)。根据晶体结构讨论了晶体生长和极化转向机理。
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<正> 相控阵雷达用的PIN高功率开关二极管二种新的Motorola高压P-I-N二极管具有处理高的峰值功率和处理高的平均功率的能力。它们在相控阵雷达系统上的应用潜力逐步升高。MPN 3208和MPN3209(电压为800/900伏)PIN二极管用于S波段的高功率相移器,但也适用于别的射频功率控制。该种器件用二氧化硅纯化结,所以具有很高的稳
1971年01期 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 320K] [下载次数：7 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 相控阵雷达用的PIN高功率开关二极管二种新的Motorola高压P-I-N二极管具有处理高的峰值功率和处理高的平均功率的能力。它们在相控阵雷达系统上的应用潜力逐步升高。MPN 3208和MPN3209(电压为800/900伏)PIN二极管用于S波段的高功率相移器,但也适用于别的射频功率控制。该种器件用二氧化硅纯化结,所以具有很高的稳
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<正> 一压电材料与器件01 具有大电机耦合系数和机械品质因数的压电陶瓷材料Piezoelectric Ceramic material with largeelectro-mechanical coupling factor and mechanicalquality factor,Nippon Electric Co.Ltd.,Brit.Pat.1189 799,1970.4.29.本文给出了一种三元系压电陶瓷材料,其组成为Pb(Sb_(1/2)Z_(1/2))O_3,PbTiO_3和PbZrO_3,而Z可以是Nb或Ta,并含有0.1至3.0重量%的MnO,在此组份
1971年01期 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] <正> 一压电材料与器件01 具有大电机耦合系数和机械品质因数的压电陶瓷材料Piezoelectric Ceramic material with largeelectro-mechanical coupling factor and mechanicalquality factor,Nippon Electric Co.Ltd.,Brit.Pat.1189 799,1970.4.29.本文给出了一种三元系压电陶瓷材料,其组成为Pb(Sb_(1/2)Z_(1/2))O_3,PbTiO_3和PbZrO_3,而Z可以是Nb或Ta,并含有0.1至3.0重量%的MnO,在此组份
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